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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

総合得点
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

総合得点
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB 考慮すべき理由
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    53 left arrow 66
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 6.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    7.3 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1760 left arrow 2366

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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Kingston HX316C10F/8 8GB
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Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston HX316C10F/8 8GB
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