RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
AMD R744G2400U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2400U1S 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
49
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2862
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link