RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3830
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link