RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3830
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link