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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3413
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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