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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2466
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
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