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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2416
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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