RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3040
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Informar de un error
×
Bug description
Source link