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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3557
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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