RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
104
En -215% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2383
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link