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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3673
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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