RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2110
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GAB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link