RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
49
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2110
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link