RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB против Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Средняя оценка
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
4.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
4.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
4.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
4.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1046
2929
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link