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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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Motivi da considerare
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
4.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
4.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
4.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
4.5
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1046
2929
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
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Kingston 99U5624-001.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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