RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
46
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
4.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
4.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
34
Velocidade de leitura, GB/s
4.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
4.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1046
2929
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link