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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 6.3
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    45 left arrow 49
    En -9% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    49 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.0 left arrow 6.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 6.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2116 left arrow 1499

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Memoria RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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Memoria RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
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Memoria RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Memoria RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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