RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
49
Около -9% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
45
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
6.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
1499
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link