RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2913
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link