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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
30
周辺 3% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
13.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
12800
周辺 1.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
30
読み出し速度、GB/s
13.4
15.2
書き込み速度、GB/秒
9.0
11.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
23400
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2913
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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