RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3432
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link