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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KY7N41-MID 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KY7N41-MID 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
49
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2869
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
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