RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3064
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link