RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3064
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link