RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3273
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link