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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3019
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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