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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En 62% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
71
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
1866
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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