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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3142
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
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