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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3983
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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