RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3672
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link