RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3465
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link