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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
1901
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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