RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2240
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link