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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3013
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
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