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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3091
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
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