RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3379
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link