RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3819
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link