RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3563
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link