RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3810
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link