RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link