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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
43
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2776
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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