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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2389
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
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