RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3113
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link