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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3414
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
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