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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2969
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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