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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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Especificaciones
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2379
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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