RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3343
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link