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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2879
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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