RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2701
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link