RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2701
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link